苹果即将在今年年中推出其最新的M3 Ultra芯片。这款芯片将是苹果公司首次采用台积电的N3E工艺节点制造的产品。
此前,已经上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用了台积电的N3B工艺节点,并搭载了A17 Pro芯片,同样使用了N3B工艺节点。而接下来要发布的M3 Ultra以及A18系列芯片也将继续使用该种工艺。
根据台积电披露的技术资料,他们规划了五种不同类型的3nm工艺节点,包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中,N3B是首个3nm节点,已经开始量产,而N3E则是它的增强版。然而从目前披露的技术来看,N3E在栅极间距上并不如N3B。
业内人士指出,在第一代3nm N3B芯片中存在许多问题:成本高且良率低,只有70%到80%左右;这意味着至少有20%的产品可能存在缺陷。相比之下,第三代的N3E则具有更高的良率和更低的成本。而且由于金属堆叠性能不佳等原因,N3B芯片也不会成为主要节点。
另外值得一提的是,台积电正在使用的 EUV 光刻技术层数由 25 层减至 21 层,降低了投入难度并提升了良品率。同时成本也有所降低,但由于晶体管密度相对较低,因此性能略低于 N3B 芯片。
总而言之,苹果 M3 Ultra 芯片将成为苹果公司史上最强悍的 3nm 产品之一。搭载这款芯片的首款设备将是苹果 Mac Studio ,预计将在今年年中正式登场。我们对这款产品充满期待。